|
16ÀÏ GIST¿¡ µû¸£¸é À̹ø ¼º°ú´Â ¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸°³¹ß(R&D) °úÁ¤ÀÇ °¡Àå Å« °É¸²µ¹·Î ²ÅÈ÷´ø ¡®Àå½Ã°£ ½Ã¹Ä·¹À̼ǡ¯ ¹®Á¦¸¦ ±Ùº»ÀûÀ¸·Î ÇØ°áÇß´Ù´Â Á¡¿¡¼ ÁÖ¸ñ¹Þ°í ÀÖ´Ù.
È«¼º¹Î ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀÀº º¹ÀâÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ Àü·ù°¡ È帣´Â ¹æÇâÀ¸·Î ´Ü¼øÈÇØ °è»êÇÏ´Â ¡®ÁØ(ñÞ) 1Â÷¿ø(Quasi-1D) ¸ðµ¨¸µ¡¯°ú ¼ÒÀÚ¸¦ ±¸°£º°·Î ³ª´² ÃÖÀûÀÇ ¹°¸® ¸ðµ¨À» Àû¿ëÇÏ´Â ¡®¿µ¿ªº° ±¸Á¶ ºÐ¼®(Region-wise Structure Analysis)¡¯ ±â¹ýÀ» °áÇÕÇß´Ù.
ÀÌ ¹æ½ÄÀ» ÅëÇØ ±âÁ¸ ½Ã¹Ä·¹À̼ǿ¡¼ Çʼö·Î °ÅÃÄ¾ß Çß´ø ¡®¹ÙÀ̾ ·¥ÇÎ(bias-ramping)¡¯ °úÁ¤À» »ý·«Çϸ鼵µ 10-100¹è ºü¸¥ °è»ê ¼Óµµ¸¦ ±¸ÇöÇß´Ù.
¿¬±¸ÆÀÀº °ÔÀÌÆ®¿Ã¾î¶ó¿îµå(GAA) ±¸Á¶¿Í º¸¿ÏÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ(CFET) µî Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¿¡ »õ ¾Ë°í¸®ÁòÀ» Àû¿ëÇß´Ù.
±× °á°ú °è»ê ¼Óµµ´Â ´ëÆø Çâ»óµÇ¾ú°í Àü¾Ð Àü´Þ Ư¼º(VTC) ¿ÀÂ÷´Â 0.1V ÀÌÇÏ·Î ¾ïÁ¦µÅ ³ôÀº Á¤È®µµ¸¦ ÀÔÁõÇß´Ù.
¶ÇÇÑ ¼ÒÀÚÀÇ Çüųª ¸Þ½¬(mesh) Á¶°ÇÀÌ ´Þ¶óÁ®µµ ÀÏÁ¤ÇÑ ¼º´ÉÀ» À¯ÁöÇÏ¸ç ¾ÈÁ¤¼ºÀ» º¸¿©Áá´Ù.
È«¼º¹Î ±³¼ö´Â ¡°AI ÇнÀ ¾øÀ̵µ ´Ù¾çÇÑ ±¸Á¶ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ» ºü¸£°í Á¤È®ÇÏ°Ô ¼öÇàÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ±â¼ú¡±À̶ó¸ç ¡°Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ °³¹ß ¼Óµµ¸¦ ¾Õ´ç±â°í ¿¬±¸ È¿À²À» Å©°Ô ³ôÀÏ °Í¡±À̶ó°í ¹àÇû´Ù.
/¹ÚÇöÁø ±âÀÚ
¹ÚÇöÁø ±âÀÚ
¢º µðÁöÅÐ ´º½º ÄÜÅÙÃ÷ ÀÌ¿ë±ÔÄ¢º¸±â